IGBT模塊封裝流程簡(jiǎn)介：1、絲網(wǎng)印刷：將錫膏按設(shè)定圖形印刷于散熱底板和DBC銅板表面，為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備 印刷效果；2、自動(dòng)貼片：將IGBT芯片與FRED芯片貼裝于DBC印刷錫膏表面；3、真空回流焊接：將完成貼片的DBC半成品置于真空爐內(nèi)，進(jìn)行回流焊接；4、超聲波清洗：通過(guò)清洗劑對(duì)焊接完成后的DBC半成品進(jìn)行清洗，以保證IGBT芯片表面潔凈度滿(mǎn)足鍵合打線(xiàn)要求；5、X-RAY缺陷檢測(cè)：通過(guò)X光檢測(cè)篩選出空洞大小符合標(biāo)準(zhǔn)的半成品，防止不良品流入下一道工序；6、自動(dòng)鍵合：通過(guò)鍵合打線(xiàn)，將各個(gè)IGBT芯片或DBC間連結(jié)起來(lái)，形成完整的電路結(jié)構(gòu)。自動(dòng)化設(shè)備的使用提高了IGBT模塊封裝工藝的一致性和可靠性。專(zhuān)業(yè)共晶真空爐廠(chǎng)家直銷(xiāo)

采用銀燒結(jié)將芯片和柔性PCB板分別連接到兩個(gè)DBC上，將CMC金屬塊燒結(jié)到每個(gè)芯片的表面，隨后將兩個(gè)DBC板焊接在一起并進(jìn)行真空灌封硅凝膠密封。兩側(cè)DBC外表面為器件散熱提供了雙散熱通路。高溫環(huán)境下SiCMOSFET電流容量降低，并聯(lián)芯片通常由于并聯(lián)分支間的寄生不匹配導(dǎo)致電流不平衡，進(jìn)而導(dǎo)致芯片溫度分布不均，且并聯(lián)芯片間熱耦合嚴(yán)重，影響器件散熱。研究者提出一種交錯(cuò)平面封裝的新型半橋封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)基于平面封裝原理，具備雙面散熱能力。交錯(cuò)平面封裝使任意兩個(gè)相鄰的并聯(lián)芯片在空間上交錯(cuò)排列，可以避免芯片間的熱耦合，實(shí)現(xiàn)更好的熱性能。上下基板分別起到導(dǎo)電、導(dǎo)熱、絕緣和機(jī)械支撐的作用。動(dòng)態(tài)測(cè)試真空爐價(jià)位IGBT自動(dòng)化設(shè)備實(shí)現(xiàn)了對(duì)IGBT靜態(tài)參數(shù)的高效測(cè)試，確保產(chǎn)品質(zhì)量。

采用低溫銀燒結(jié)鍵合(LTB)技術(shù)將芯片對(duì)稱(chēng)布置在金屬基復(fù)合(MMC)基板的中心安裝孔四周，使模塊與熱沉間保持良好的電氣接觸和熱接觸。芯片正面的功率電極通過(guò)高熔點(diǎn)焊料連接到上部MMC基板，兩個(gè)基板與芯片兩個(gè)表面緊緊接觸，芯片的兩側(cè)(芯片燒結(jié)層-MMC，芯片層焊料-MMC)均成為散熱路徑。雖然芯片正面的功率電極取消了鍵合線(xiàn)，但柵極仍需采用鍵合線(xiàn)連接。使用硅橡膠成型，使模塊易于集成，同時(shí)滿(mǎn)足爬電和間隙距離要求。該封裝技術(shù)非常適合于需要冷卻的高功耗器件。

創(chuàng)新性的橫向彈簧針端子和Mo柱互連解決了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)化封裝在功率密度和熱性能方面的不足，提供芯片頂部和底部的熱通路，從而提高散熱能力。采用燒結(jié)銀將芯片連接在兩個(gè)高導(dǎo)熱AlN陶瓷DBA基板之間，通過(guò)Mo柱將芯片的源極和柵極連接到上基板，減輕了熱機(jī)械應(yīng)力，改善了可靠性。Cu柱支撐封裝兩側(cè)的基板，并為橫向彈簧針端子提供安裝表面，橫向彈簧針穿過(guò)3D打印的外殼將模塊連接到高壓PCB母線(xiàn)。外殼和彈簧針端子之間采用硅膠墊圈密封，防止密封劑泄漏。將器件安裝在兩個(gè)PCB母線(xiàn)之間，可以實(shí)現(xiàn)高密度集成和高度模塊化。自動(dòng)化設(shè)備的應(yīng)用促進(jìn)了新一代IGBT模塊的取代舊式雙極管，成為電路制造中重要的電子器件。

芯片下表面焊接連接，上表面采用載銀硅樹(shù)脂連接，以進(jìn)一步降低熱機(jī)械應(yīng)力。柵極端子與聚酰亞胺柔性電路板連接。通過(guò)空氣實(shí)現(xiàn)散熱器與環(huán)境間的電氣絕緣。芯片兩側(cè)的基板表面為翅片狀熱沉的連接提供了平臺(tái)，可使用介電流體(如空氣)進(jìn)行冷卻，該P(yáng)CoB雙面風(fēng)冷模塊具有與液冷等效的散熱性能。研究表明，采用該封裝的1200V/50ASiC肖特基二極管在空氣流速為15CFM的條件下測(cè)試得到模塊結(jié)到環(huán)境的熱阻只為0.5℃/W。在沒(méi)有散熱措施時(shí)，結(jié)到環(huán)境的熱阻也低于5℃/W。而對(duì)于類(lèi)似大小的芯片，采用25mil的AlN陶瓷基板和12mil的鍍鎳銅底板封裝的傳統(tǒng)功率模塊的結(jié)殼熱阻已達(dá)到約0.4℃/W。將該模塊通過(guò)導(dǎo)熱脂連接在液冷散熱板上，結(jié)到冷卻液體的熱阻為0.6~1℃/W。表明該P(yáng)CoB雙面空冷模塊具有與傳統(tǒng)液冷模塊相當(dāng)?shù)臒嵝阅?。IGBT自動(dòng)化設(shè)備可實(shí)現(xiàn)對(duì)動(dòng)態(tài)特性的實(shí)時(shí)測(cè)試和監(jiān)測(cè)。動(dòng)態(tài)測(cè)試真空爐價(jià)位

動(dòng)態(tài)測(cè)試IGBT自動(dòng)化設(shè)備可分析和優(yōu)化器件在過(guò)溫和過(guò)壓情況下的性能。專(zhuān)業(yè)共晶真空爐廠(chǎng)家直銷(xiāo)

芯片背面可通過(guò)焊層與DBC基板連接。芯片封裝上下兩個(gè)外表面均為平面，可在兩側(cè)分別連接熱沉進(jìn)行冷卻。研究表明，器件功率損失在5~300W范圍內(nèi)時(shí)，與鍵合線(xiàn)連接的單面液冷相比，嵌入式封裝雙面液冷熱阻可降低45%~60%。且隨著冷卻流體流速的增加，散熱效果更加明顯。因此，使用嵌入式功率芯片封裝的雙面液體對(duì)流散熱是改善功率半導(dǎo)體器件散熱的可行且有效方案。與常規(guī)芯片封裝相反，將芯片正面連接在DBC上，芯片背面通過(guò)銅夾引出，即可實(shí)現(xiàn)芯片的倒裝封裝，實(shí)現(xiàn)芯片兩個(gè)表面散熱。專(zhuān)業(yè)共晶真空爐廠(chǎng)家直銷(xiāo)

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